真空鍍膜
氬(氬)離子主要通過輝光放電撞擊在靶表面,貴州鈦金廠,靶的原子被噴射并沉積在襯底表面形成薄膜。濺射薄膜的性能和均勻性優于蒸發薄膜,但鍍膜速度比蒸發薄膜慢得多。幾乎所有的新型濺射設備都是利用強大的磁體螺旋電子加速靶材周圍氬的電離,增加了靶材與氬離子的碰撞幾率,提高了濺射速率。一般金屬鍍膜多采用DC濺射,貴州鍍鈦加工 ,非導電陶瓷材料采用射頻交流濺射。其基本原理是氬(Ar)離子在真空中通過glowdischarge撞擊在靶材表面,等離子體中的陽離子會作為濺射材料加速到負極表面,使靶材飛出沉積在襯底上形成薄膜。一般來說,濺射鍍膜有幾個特點:
(1)金屬、合金或緣體可制成薄膜材料。
(2)在適當的設置條件下,可以將多個復雜的靶制成相同成分的薄膜。
(3)通過向放電氣氛中加入氧氣或其他活性氣體,可以制成目標材料和氣體分子的混合物或化合物。
(4)可以控制靶輸入電流和濺射時間,容易獲得高精度的膜厚。
(5)與其他工藝相比,有利于生產大面積均勻薄膜。
(6)濺射粒子幾乎不受重力影響,PVD真空鍍膜,靶和襯底的位置可以自由排列。
(7)基材與薄膜的粘合強度是普通蒸鍍薄膜的10倍以上,由于濺射粒子具有較高的能量,會繼續在成膜表面擴散,獲得堅硬致密的薄膜,同時,高能量使基材在較低的溫度下獲得結晶薄膜。
(8)成膜初期,成核密度高,可制得10納米以下的極薄連續膜。
(9)靶材使用壽命長,可長期自動連續生產。
(10)目標材料可以制成各種形狀,通過機器的特殊設計,可以更好地控制和有效地生產。